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邹崇文
单位:国家同步辐射实验室
地址:合作化南路42号
邮编:230029
电话:+86-551-63602085
个人主页: staff.ustc.edu.cn/~czou
实验室介绍:
 
个人简历 Personal resume
2001 年在中国科技大学物理系获得学士学位,2006 年在中国科技大学国家同步辐射实验室获得博士学位。2006 年7 月至2007 年5 月工作于中科院武汉物理与数学研究所。2007 年6 月至2010 年4 月在新西兰奥克兰大学化学与材料工程系任Research Fellow. 2010 年5 月由“人才引进”进入中国科大国家同步辐射实验室任副研究员。主要从事同步辐射光电子能谱和X 射线吸收结构方法表征以及半导体氧化物薄膜和纳米材料的制备,微结构和光学特性的研究。在Nano letters, Adv.Funct.Mater, Nano Energy, JPCC, Optics. Lett., Appl. Phys. Lett., PRB等国际期刊杂志上发表了六十余篇科研论文。同时应美国科学出版社邀请撰写“半导体纳米材料大百科全书”一章,应Taylor & Francis/CRC 出版社邀请撰写“同步辐射研究ZnO 掺杂机理”一章。获得包括中科院院长优秀奖和美国真空学会”Shop Note Award”等在内的各种国内外学术奖励,入选中科院青年创新促进会。
 
研究方向 Research direction
 
招生信息 Enrollment information
招收硕士1~2名
 
论文专著 The monograph
1) Free-standing SWNTs/VO2/Mica hierarchical films for high-performance thermochromic devices - Nano Energy - - 31 (2017)144-151
2) The Dynamic Phase Transition Modulation of Ion-Liquid Gating VO2 Thin Film: Formation, Diffusion, and Recovery of Oxygen Vacancies - Adv.Funct. Mater - - 26 (2016), 3532-3541
3) Strain dynamics of ultra-thin VO2 film grown on TiO2(001) and the associated phase transition modulation - Nano Lett - 2014 - 14,4036
4) The infrared response and the optoelectronic memory device fabrication based on epitaxial VO2 film - ACS Appl. Mater. Interface - - 8 (2016)32971
5) Control of the metal-insulator transition in VO2 epitaxial film by modifying carrier density - ACS Applied Materials & Interfaces - - 1944-8244
6) Decoupling the lattice distortion and charge doping effects on the phase transition behavior of VO2 by titanium (Ti4+) doping - Scientific Reports - - 5(2015 )9328
7) High-sensitivity temperature sensing using an implanted single nitrogen-vacancy center array in diamond - Phys.Rev.B - - 91 (2015) 155404
8) Comprehensive studies of interfacial strain and oxygen vacancy on metal-insulator transition of VO2 film - J. Phys: Conden. Matter - - 28 (2016) 255002
9) Optical far-field super-resolution microscopy using nitrogen vacancy center ensemble in bulk diamond - Appl. Phys. Lett - - 109 (2016)111107
10) Growth and phase transition characteristics of pure M-phase VO2 epitaxial film prepared by oxide molecular beam epitaxy - Appl. Phys. Lett. - - 103 (2013)131914
11) Synchrotron radiation study of VO2 crystal film epitaxial growth on sapphire substrate with intrinsic multi-domains - Appl. Phys. Lett. - - 102(2013)011604
12)  Few-layer graphene growth on 6H-SiC(0001) surface at low temperature via Ni-silicidation reactions - Appl. Phys. Lett - - 100 (2012) 251604
13) Annealing effect on the microstructure and optical properties of ZnO/V2O5 bilayer - Appl. Phys. Lett - - 98( 2011)111904
14) Study of a nitrogen-doped ZnO film with synchrotron radiation - Appl. Phys. Lett., - - 94(2009) 171903
15) Enhanced visible photoluminescence of V2O5 via coupling ZnO/V2O5 composite nanostructures - Optics. Lett - - 35(2010) 1145
 
报考意向 Ambition
 
 
 

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