专家介绍

2004年在中科院半导体所获得微电子与固体电子学博士学位。2004年至2006年，在北京工业大学光电子技术实验室工作。2006年至2010年, 在美国佐治亚理工学院电子与计算机工程系从事博士后研究。2010年5月加入中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所，现为研究员，博士生导师。十多年以来一直致力于氮化镓基材料生长和高效LED、激光器等的研发与产业化。（1）在佐治亚理工学院工作期间，研制出GaN基紫光和蓝光激光器，其中紫色激光器的阈值电流密度和内量子效率等指标达到国际先进水平，研究结果被Semiconductor Today 专题报道。（2）近年来研制出高性能氮化镓基蓝光激光器和绿光激光器。研制的蓝光激光器达到产业化水平，并在国内率先研制出绿光激光器，在中科院“十二五”科研任务验收中被评为优秀重大突破项目。在国际同行中产生了一定影响，多次在国际和国内学术会议上做口头和大会报告，是该研究方向国际上主要的课题组之一。（3）是国际上最早从实验上证实由于空穴注入的限制，InGaN多量子阱有源区实际上只有最靠近p-GaN的一个量子阱发光的研究者之一，并首先采用降低量子阱势垒高度的方法改善了多量子阱中的载流子的均匀性。迄今为止在Appl. Phys. Lett.、 IEEE J. Sel. Top. Quantum Electron.和Appl. Phys. Express等国际期刊上发表SCI收录论文70多篇，总他引次数700多次。曾经承担美国国防部DARPA和能源部项目，中国国家自然科学基金、国家“863”、中科院先导专项及江苏省科技支撑计划重点项目等多项科研项目。

1) Suppression of recombination in waveguide in c-plane InGaN-based green laser diodes - SUPERLATTICES AND MICROSTRUCTURES - - 0749-6036
2) Hole transport in c-plane InGaN-based green laser diodes - APPLIED PHYSICS LETTERS - - 0003-6951
3) Green laser diodes with constant temperature growth of InGaN/GaN multiple quantum well active region - Applied Physics Express - 2019 - 2019, 12, 064007
4) Influence of substrate misorientation on carbon impurity incorporation and electrical properties of p-GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition - Applied Physics Express - 2019 - 2019, 12, 055503
5) GaN in different dimensionalities: Properties, synthesis, and applications - Materials Science & Engineering R - 2019 - 2019, 138, 60–84
6) Emission dynamics of GaN-based blue resonant-cavity light-emitting diodes - Journal of Luminescence - 2019 - 2019, 216, 116717
7) Asymmetrical quantum well degradation of InGaN/GaN blue laser diodes characterized by photoluminescence - Appl. Phys. Lett. - 2017 - 111, 212102 (2017)
8) Quantum dot vertical-cavity surface-emitting lasers covering the ‘green gap’ - Light: Science & Applications - 2017 - (2017) 6, e16199
9) GaN-based blue laser diodes with 2.2 W of light output power under continuous-wave operation - IEEE PHOTONIC TECH L - 2017 - 29, 2203(2017)
10) Significant increase of quantum efficiency of green InGaN quantum well by realizing step-flow growth - APPLIED PHYSICS LETTERS - 2017 - 2017, 111(11):112102
11) Green laser diodes with low threshold current density via interface engineering of InGaN/GaN quantum well active region - Optics Express - 2017 - 2017, 25(1):415-421
12) Optical characterization of InGaN/GaN quantum well active region of green laser diodes - Applied Physics Express - 2017 - 2017, 10(1): 012701-1-012701-4
13) Hole transport in c-plane InGaN-based green laser diodes - APPLIED PHYSICS LETTERS - 2016 - 2016, 109(9): 092104
14) Suppression of recombination in waveguide in c-plane InGaN-based green laser diodes - Superlattices and Microstructures - 2017 - 2017, 111:1121-1125