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董建荣
单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址:江苏省苏州工业园区若水路398号
邮编:215123
电话:0512-62872649
个人主页: http://sourcedb.sinano.cas.cn/zw/zjrck/200907/t20090722_2155867.html
实验室介绍:
 
个人简历 Personal resume
男,1967年1月生,1989年和1992年在西安电子科技大学分别获得学士和硕士学位,1996在中国科学院半导体研究所获半导体物理与器件专业博士学位。1996年3月至1997年8月在中国科学院半导体研究所任助理研究员,1997年9月至2008年1月在新加坡科技研究局材料研究院(IMRE)分别任助理研究员和Research Scientist,2007年6月加入苏州纳米所任研究员。多年来一直从事MOCVD 生长InP 和GaAs 基光电子材料、材料表征及器件研究。作为骨干参加科技部973计划项目,负责中科院知识创新工程重要方向项目、科技部973课题、中科院院地合作项目、国家自然科学基金项目和苏州市科技项目等多个项目,目前主要从事化合物半导体多结光伏电池及半导体激光器方面的研究工作。培养博士四名, 硕士三名,发表论文九十多篇,拥有四十多项授权发明专利。
 
研究方向 Research direction
1、半导体异质结材料与器件研究
 
招生信息 Enrollment information
微电子学与固体电子学专业、物理专业和无机材料专业优先
 
论文专著 The monograph
1) Characterizations of high-voltage vertically-stacked GaAs Laser Power Converter - Journal of Semiconductors - 2018 - 39(9), 094006-1 (2018)
2) Four-junction AlGaAs/GaAs Laser Power Converter - Journal of Semiconductors - 2018 - 39(4), 044003-1(2018).
3) Six-junction GaAs laser power converters with different sizes of active aperture - Optoelectronics Letters - 2017 - 13(1), 21(2017)
4) Fabrication and lasing characteristics of oxide-confined 795nm VCSELs - Optical and Quantum Electronics - 2017 - 49(11), 361(2017)
5) Design and fabrication of six-volt vertically-stacked GaAs photovoltaic power converter - Scientific Reports - 2016 - 6, 38044-1(2016)
6) Surface and edge electroluminescence study of as-grown VCSEL structures - Applied Surface Science A - 2016 - 388, 97(2016)
7) High quality InP epilayers grown on GaAs substrates using metamorphic AlGaInAs buffers by metalorganic chemical vapor deposition - Journal of Materials Science: Materials in Electro - 2016 - 2016
8) Control of threading dislocations by strain engineering in GaInP buffers grown on GaAs substrates - Thin Solid Films - 2015 - 593,193(2015)
9) The anisotropic distribution of dislocations and tilts in metamorphic GaInAs/AlInAs buffers grown on GaAs substrates with miscut angles toward (111)A - Journal of Alloys and Compounds - 2014 - 597, 45(2014)
10) Effects of substrate miscut on the quality of In0.3Ga0.7As layers grown on metamorphic (Al)GaInP buffers by metalorganic chemical vapor deposition - Appl. Phys. Express - 2013 - 6(6), 065502(2013)
 
报考意向 Ambition
 
 
 

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