1999年考入中国科学院半导体研究所，从事InP基材料MOCVD窄条宽选区生长和半导体光学放大器的研究，并于2002年获得微电子学和固体电子学工学博士学位；2002年至2004年底在北京交通大学和中科院半导体所作博士后，从事InP基N型调制掺杂量子阱材料生长和器件研究；2005年初加入英国布里斯托大学电子与电气工程系光子组，从事半导体环形腔激光器的研究。2008年6月加入我所，陆续从事太阳能电池减反、InP基异质外延和III-V信息光电子器件。
知识背景：欢迎具有半导体光电子学、半导体器件物理、半导体物理、导波光学以及光通信和光传感学科背景的同学报考。 考试科目：半导体光电子学、固体物理 科研条件：（1）实验室拥有完备的信息光电子器件模拟设计平台（2）实验室具备III-V信息光电子器件静态性能测试平台,正在筹建其动态性能测试平台；（3）实验室与多家用户单位建立了密切的合作关系，制备成功的器件可以直接到合作方那里应用，实现器件研制到应用的零距离接触。（4）纳米所有完备的纳米加工表征设备，完全满足III-V半导体信息光电子器件研制。 学生待遇：实验室经费充足，根据学生对实验室的贡献度，会给出超过平均水平的助理津贴。
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