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孙钱
单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址:江苏省苏州工业园区若水路398号
邮编:215123
电话:0512-62872721
个人主页: http://sourcedb.sinano.cas.cn/zw/zjrck/201205/t20120502_3567386.html
实验室介绍:
 
个人简历 Personal resume
    孙钱,现任中科院苏州纳米所研究员、博导,器件部副主任,美国耶鲁大学博士,国家优秀青年自然科学基金获得者,国家技术发明一等奖获得者。 

  2002年提前一年从中国科技大学毕业,获材料物理理学学士和计算机科学与技术工程学士双学位,并荣获郭沫若校长奖。同年以全系第一名的成绩免试推荐到中科院半导体所攻读硕士学位。2005年硕士毕业后到美国耶鲁大学深造,于2009年获得博士学位,并荣获耶鲁大学工学院五个系每年唯一的优秀博士毕业生奖Becton奖。博士毕业后在耶鲁大学电子工程系任Associate Research Scientist。2010年6月加入美国硅谷的普瑞光电公司Bridgelux Inc.,任Epi R&D Scientist,负责8英寸硅衬底GaN基高效LED的外延研发。2012年入选江苏省“双创人才”计划,2015年被评为中国电子学会优秀科技工作者。 

  近5年来主持承担了国家重点研发计划课题、863计划课题、中科院前沿科学重点研究项目、中科院科技服务网络STS计划区域重点项目、江苏省重点研发计划项目等,累计合同经费4500万元。迄今为止,在Nature Photonics、Light: Science & Applications、以及ACS Photonics等国际学术期刊上发表了90余篇被SCI收录的学术论文,总引用1300余次,H-index为23,是30余项美国和中国发明专利的发明人。应邀在国际氮化物半导体学术会议ICNS、ISSLED、Photonics West、ICMOVPE、APWS、CSW、IWUMD、ISPlasma、Semicon Taiwan等国际学术会议和产业论坛上作特邀报告30余次。现兼任SEMI中国功率及化合物半导体委员会委员、中国激光杂志社青年编辑委员会委员、《半导体学报》第12届编辑委员会委员。

  十余年以来一直致力于宽禁带半导体GaN基材料生长及新型高效LED、激光器、GaN基功率电子器件等的研发与产业化。 

  (1)在美国硅谷的普瑞光电公司工作期间,在8英寸硅衬底上实现了160流明/瓦的高光效GaN基LED。普瑞光电公司已将该技术转售给日本东芝公司,获技术转让费逾1亿美元。回国后与晶能光电有限公司进行产学研实质性合作,兼任公司硅衬底GaN基LED研发副总裁,带领团队成功研发出新一代硅衬底GaN基高效LED的外延及芯片工艺技术,并在全球率先成功产业化,2014年晶能光电基于该技术而新增的LED产品销售逾3亿人民币(毛利率逾40%)。硅衬底GaN基高效LED技术与蓝宝石衬底和碳化硅衬底的GaN基LED技术初步形成了“三足鼎立”的局面,荣获国家技术发明一等奖

  (2)2015年实现了国际上第一支硅衬底GaN基蓝紫光激光器(氮化物半导体的另一种重要光电器件)的电注入室温连续激射,有望大幅降低GaN基激光器的制造成本,加速推进我国激光显示与激光照明等战略新兴产业发展,而且还为硅基光电集成提供了一种新的技术路线。部分成果已发表在Nature Photonics 10, 595–599 (2016),入选2016中国光学重要成果,编入科技部高新技术领域创新进展报告。

  (3)在Si衬底氮化物功率电子材料与器件方面,孙钱研究员的课题组研发出有自主知识产权的硅基GaN功率二极管和基于P型栅的增强型电力电子器件;同时还创新采用超薄AlInGaN势垒层实现了高性能的硅基GaN射频器件,在截止频率和栅极漏电等方面目前处于国际先进水平。
 
研究方向 Research direction
1、宽禁带半导体光电子材料
2、宽禁带半导体电子器件
3、材料生长与测试表征
 
招生信息 Enrollment information
    优秀学生将可推荐到美国耶鲁大学、密西根大学访问交流或进一步深造,也可以推荐至国内外的一流企业工作。迄今已推荐3名博士去耶鲁作博士后研究或访问学者交流,推荐毕业生去华为、武汉光迅科技、武汉新芯、无锡华润微电子等企业工作。

  招生(及招聘)方向:半导体材料与器件、材料物理、物理、光电子、微电子等。
 
论文专著 The monograph Researcher ID
1) Room-temperature continuous-wave electrically injected InGaN-based laser directly grown on Si - Nature Photonics - 2016年8 - 2016年第10期
2) Room-temperature continuous-wave electrically pumped InGaN/GaN quantum well blue laser diode directly grown on Si - Light: Science & Applications - 2018 - 2018年第七期
3) Room-temperature electrically injected AlGaN-based near ultraviolet laser grown on Si - ACS Photonics - 2018年 - 2018年第五期
4) High fT AlGa(In)N/GaN HEMTs Grown on Si With a Low Gate Leakage and a High ON/OFF Current Ratio - IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS - - 0741-3106
5) p-GaN Gate Enhancement-Mode HEMT Through a High Tolerance Self-Terminated Etching Process - Journal of the Electron Devices Society - 2017年 - 2017年第五期
6) Self-terminated etching of GaN with a high selectivity over AlGaN under inductively coupled Cl2/N2/O2 plasma with a low-energy ion bombardment - Applied Surface Science - 2017年 - 2017年420期
7) Unintentional incorporation of Ga in the nominal AlN spacer of AlInGaN/AlN/GaN Heterostructure - JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS - - 0022-3727
8) High-power AlGaN-based near ultraviolet light emitting diodes grown on Si(111) - Applied Physics Express - 2017年 - 2017年第10期
 
报考意向 Ambition
 
 
 

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