| 姓 名： | 黄勇 |
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| 职 称： | 研究员 |
| 学 历： | 博士研究生 |
| 电 话： | |
| 通讯地址： | 苏州工业园区若水路398号 |
| 电子邮件： | yhuang2014@sinano.ac.cn |
简历：
2002年获得清华大学材料系学士学位，2005获得中科院半导体研究所硕士学位，2010年获得美国佐治亚理工学院电子和计算机工程系博士学位。2011至2014年就职于美国IQE公司，任资深工艺工程师。2015年加入纳米所。主要的学术成果包括成功实现了基于InAlGaAs/InP的长波长晶体管激光器的连续激射,实现了用MOCVD生长的InAs/GaSb二类超晶格红外探测器。迄今在Appl. Phys. Lett.等国际学术期刊发表SCI论文39篇，其中第一作者18篇，总引用500余次，国际大会学术报告24次。
研究领域：
主要研究领域是III/V族化合物半导体材料与器件,包括III/V材料的外延生长与表征,器件物理分析与器件设计,以及器件的制备与测试等。
1. 锑化物二类超晶格红外探测器；
2. III-V半导体MOCVD外延；
3. 大功率激光器；
社会任职：
获奖及荣誉：
代表论著：
承担科研项目情况：
