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黄勇
单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址:江苏省苏州工业园区若水路398号
邮编:215123
电话:86-512-62872704
个人主页: http://sourcedb.sinano.cas.cn/zw/zjrck/201504/t20150430_4347291.html
实验室介绍:
 
个人简历 Personal resume
2002年获得清华大学材料系学士学位,2005获得中科院半导体研究所硕士学位,2010年获得美国佐治亚理工学院电子和计算机工程系博士学位。2011至2014年就职于美国IQE公司,任资深工艺工程师。2015年加入中科院苏州纳米所。主要研究领域是III/V族化合物半导体材料与器件,包括III/V材料的外延生长与表征,器件物理分析与器件设计,以及器件的制备与测试。
 
研究方向 Research direction
1、半导体光电子器件
2、MOCVD材料生长
3、半导体器件物理
 
招生信息 Enrollment information
欢迎对III-V半导体材料和器件感兴趣的同学加入我们团队。
 
论文专著 The monograph Researcher ID
1) High-performance long-wavelength InAs/GaSb superlattice detectors grown by MOCVD - IEEE Photonics Technol. Lett. - 2019年 - 31 (2), 185
2) High-quality InSb grown on semi-insulting GaAs substrates by metalorganic chemical vapor deposition for Hall sensor application - Chin. Phys. Lett. - 2019年 - 36 (1), 017302
3) Exploring the optimum growth conditions for InAs/GaSb and GaAs/GaSb superlattices on InAs substrates by metalorganic chemical vapor deposition - J. Cryst. Growth - 2018年 - 502, 71–75
4) High-performance mid-wavelength InAs/GaSb superlattice infrared detectors grown by production-scale metalorganic chemical vapor deposition - IEEE Journal of Quantum Electronics - 2017年 - 53(5)
5) Design of InP-based metamorphic high-efficiency five-junction solar cells for concentrated photovoltaics - Semiconductor Science and Technology - 2015年 -
6) Doping-dependent device functionality of InP/InAlGaAs long-wavelength light-emitting transistors - Applied Physics Letters - 2011年 -
7) Strain-balanced InAs/GaSb type-II superlattice structures and photodiodes grown on InAs substrates by metalorganic chemical vapor deposition - Applied Physics Letters - 2011年 -
 
报考意向 Ambition
 
 
 

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