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王荣新
单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址:江苏省苏州工业园区若水路398号
邮编:215123
电话:0512-62872582
个人主页: http://sourcedb.sinano.cas.cn/zw/zjrck/200907/t20090722_2155843.html
实验室介绍:
 
个人简历 Personal resume
1984年毕业于河北工学院(现更名为河北工业大学),获学士学位,2001年获得香港科技大学硕士学位,2005年获得香港大学博士学位。2006年在香港理工大学做博士后研究工作,2008年加入苏州纳米技术与纳米仿生研究所,获苏州市紧缺高层次人才和苏州市技能大师工作室首席大师称号,曾任纳米加工平台总工程师。2013年开始参与纳米真空互联实验站的筹建工作。
长期从事微纳加工工艺、半导体器件的制备和表征的工作,具有丰富的半导体器件工艺加工和性能测试及评价的知识和经验。在氧化物薄膜材料制备及光电子器件应用、Ti-Ni合金形状记忆薄膜制备及MEMS应用、第三代半导体器件制备及相关材料缺陷分析的研究方面有独到的创新研究成果。代表之一开发出具有完整自主知识产权的宽光谱高效化合物半导体太阳能电池光伏器件制备工艺,制备出的高效太阳能电池在聚光条件下的效率已达到43.1%,达到国际水平。在Appl.Phys.Lett等国际知名物理学期刊上发表论文三十余篇, 应邀撰写英文书籍章节2部。
 
研究方向 Research direction
1、新型半导体材料和器件研究
2、MEMS
 
招生信息 Enrollment information
微电子学与固体电子学
 
论文专著 The monograph
1) The effect of transparent conductive nanocrystalline oxide thin layer on performance of UV detectors fabricated on Fe-doped GaN - Materials Science in Semiconductor Processing - 2017 - 57, 132–136 (2017)
2) Electroluminescence probe of internal processes of carriers in GaInP single junction solar cell - Solar Energy Materials and Solar Cells - 2017 - 168,201-206 (2017)
3) Who make transparent ZnO colorful? e Ion implantation and thermal annealing effects - Superlattices and Microstructures - 2016 - 99,208~213 (2016)
4) Transition of Radiative Recombination Channel from Delocalized States to Localized States in GaInP Alloy with Partial Atomic Ordering: A Direct Optical Signature of Mott Transition? - Nanoscale - 2016 - 8,7113-7118 (2016)
5) Structural Dependences of Localization and Recombination of Photogenerated Carriers in the top GaInP Subcells of GaInP/GaAs Double-Junction Tandem Solar Cells - ACS Applied Materials & Interfaces - 2015 - 7,690-695 (2015)
6) Super transverse diffusion of minority carriers in GaxIn1-xP/GaAs double-junction tandem solar cells - Solar Energy - 2014 - 110, 214–220 (2014)
 
报考意向 Ambition
 
 
 

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