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曾雄辉
单位:中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所
地址:江苏省苏州工业园区若水路398号
邮编:215123
电话:0512-62872545
个人主页: http://sourcedb.sinano.cas.cn/zw/zjrck/200907/t20090722_2155808.html
实验室介绍:
 
个人简历 Personal resume
2005年于中国科学院上海光学精密机械研究所获材料学博士学位,2005年至2007年在清华大学从事博士后研究。2007年6月加入苏州纳米所。一直从事晶体材料(无机晶体、有机晶体)的微结构和光电特性表征研究,尤其以透射电子显微镜、扫描电子显微镜、阴极荧光谱、光致发光谱为主要表征工具。先后主持国家自然科学基金,江苏省自然科学基金,中国科学院仪器设备功能开发项目等多个科研项目。在Crystal Growth and Design, Applied Physics Letters, Journal of Applied Physics等国际刊物上发表SCI收录论文30余篇,主持申请专利近10项。
 
研究方向 Research direction
1、氮化物半导体
 
招生信息 Enrollment information
欢迎材料、物理、化学专业的学生报考
 
论文专著 The monograph
1) Simultaneous emission of red, green, and blue in Pr, Er, and Tm co-implanted GaN thin films - Materials Chemistry and Physics - 2017 - 2017, 199: 567-570
2) Investigation of energy transfer mechanism in Er3+ and Tm3+ doped AlN crystalline films - Journal of Alloys and Compounds - 2017 - 2017, 726: 209-213
3) Cathodoluminescence properties of Pr, Tm co-implanted GaN thin films - Optical Materials Express - 2016 - 2016, 6(5): 1692-1700
4) Investigation of low-temperature cathodoluminescence mechanism of Er-doped GaN thick films by ion implantation - Chinese Optics Letters - 2016 - 2016, 14(5): 051602
5) Temperature-dependent Cathodoluminescence Investigation of Er-implanted GaN thin films - Physica Status Solidi B: Basic Solid State Physics - 2016 - 2015, 253(3): 515-520
6) Comparison of morphology, structure, and optical properties of GaN powders prepared by Ga2O3 nitridation and gallium nitridation, - Journal of Crystal Growth, - 2013 - 2013, 367, 48-52.
 
报考意向 Ambition
 
 
 

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