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黎大兵
单位:微电子学院
地址:吉林省长春市东南湖大路3888号
邮编:130033
电话:86-431-867088813
个人主页: http://www.escience.cn/people/lidb/index.html
实验室介绍:
 
个人简历 Personal resume
黎大兵,男,1975年出生,博士,博士生导师。国家杰出青年基金获得者(2017年),中科院特聘研究员,科技部中青年创新领军人才,入选第四批“万人计划”科技创新领军人才,享受国务院政府特殊津贴。曾任中科院长春光机所发光学及应用国家重点实验室副主任、长春光机所圆辰微电子技术有限公司总经理、现任长春光机所所务委员兼基础科研处处长。
主要从事基于氮化物理论、材料生长及光电器件及物理研究。立足于缺陷调控工程,实现了低缺陷密度、高质量的AlN材料,实现了基于表面等离激元增强的GaN、AlGaN紫外及深紫外探测器,研制出高性能AlGaN日盲紫外探测器及深紫外LEDs。作为课题负责人承担国家重点研发计划、国家自然科学基金杰出青年基金、国家自然科学基金国家重大科研仪器研制项目等项目。在Light:Science & Applications,Advances in Optics and Photonics等国际期刊上等发表SCI论文100余篇,申请发明专利50余项。担任第三代半导体产业技术战略联盟青委会副主任委员、电子学会青年工作委员会副主任委员、《Scientific Reports》、《发光学报》、《quantum Engineering 》等期刊编委,中国金属学会宽禁带委员会委员,OSA高级会员。荣获吉林省自然科学一等奖(第一完成人)。
 
研究方向 Research direction
1、AlGaN紫外光电材料与器件
 
招生信息 Enrollment information
招收微电子与固体电子、凝聚态物理、材料学等方向的研究生
 
论文专著 The monograph
1) Quantum Engineering of Non-equilibrium Efficient p-Doping in Ultra-wide Band-gap Nitrides - Light:Science&applications - 2021 -
2) Elimination of the internal electrostatic field in two-dimensional GaN-based semiconductors - Npj 2D Materials and Applications - 2020 -
3) Improved nucleation of AlN on in situ nitrogen doped graphene for GaN quasi-van der Waals epitaxy - Applied Physics Letters - 2020 -
4) Polarization-enhanced AlGaN solar-blind ultraviolet detectors - Photonics Research - 2020 -
5) The formation mechanism of voids in physical vapor deposited AlN epilayer during high temperature annealing - Applied Physics Letters - 2020 -
6) AlGaN photonics: recent advances in materials and ultraviolet devices - Advances in Optics and Photonics - 2018 -
7) Direct observation of localized surface plasmon field enhancement by Kelvin probe force microscopy - Light-Science & Applications - 2017 -
8) An effective approach to alleviating the thermal effect in microstripe array-LEDs via the piezophototronic effect - Materials Horizons - 2018 -
9) Modulating the Surface State of SiC to Control Carrier Transport in Graphene/SiC - Small - 2018 -
10) Full-duplex light communication with a monolithic multicomponent system - Light: Science & Applications - 2018 -
11) The defect evolution in homoepitaxial AlN layers grown by high-temperature metal-organic chemical vapor deposition - CrystEngComm - 2018 -
 
报考意向 Ambition
 
 
 

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  毕业院校: 报考类型: 博士 硕士
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个人简历:

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