霍永恒 教授  青年千人、中科院百人、上海千人
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教育与科研经历
2002.09-2006.07 学士（电子科学与技术），天津大学
2006.09-2011.01 博士（物理电子学），中国科学院半导体研究所 (导师：陈良惠院士、马文全研究员）
2011.02-2012.12 博士后，德国莱布尼茨固态和材料研究所 （IFW Dresden，合作导师Prof. Armando Rastelli, Prof. Oliver G Schmidt）
2013.01-2015.03 聘期制科学家，分子束外延实验室负责人，IFW Dresden 
2015.04-2016.06 高级研究员，奥地利林茨大学半导体和固体物理研究所
2016.07-至今    中国科学技术大学 特任教授

代表性论文
7. D Huber, M Reindl, YH Huo, et al. (2018) Highly indistinguishable and strongly entangled photons from symmetric GaAs quantum dots, Nat. Commun 8, 15506.
6. H. Huang, R Trotta, YH Huo*, et al (2017) Electrically-pumped wavelength-tunable GaAs quantum dots interfaced with rubidium atoms. ACS Photonics 4, 868-872.
5. YH Huo*, V Křápek, OG Schmidt, A Rastelli (2017) Spontaneous brightening of dark excitons in GaAs/AlGaAs quantum dots near a cleaved facet. Phy. Rev. B 95, 165304.
4. YH Huo*, BJ Witek, S Kumar, et al. (2014) A light-hole exciton in a quantum dot. Nature Physics 10, 46-51.
3. J Zhang, YH Huo*, A Rastelli, et al. (2014) Single Photons On-Demand from Light-Hole Excitons in Strain-Engineered Quantum Dots. Nano Letters 15, 422-427.
2. YH Huo*, V Křápek, A Rastelli, OG Schmidt (2014) Volume dependence of excitonic fine structure splitting in geometrically similar quantum dots. Phys. Rev. B 90, 041304.
1. YH Huo*, A Rastelli, OG Schmidt (2013) Ultra-small excitonic fine structure splitting in highly symmetric quantum dotson GaAs (001) substrate. Appl. Phys. Lett. 102, 152105.

每年招收2名博士研究生（含硕博连读），具有物理、材料、电子、光学、信息等扎实理工科背景。同时欢迎优秀的本科生到实验室进行实习。我们期望研究生具有勤奋聪明、基础扎实、思维敏捷等品质，同时有较强的动手能力、中英文表达能力。我们认为团队合作、自我驱动和强烈的进取意识是高质量完成学业与科研所必不可少的。