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韩拯
单位:中国科学院金属研究所
地址:文化路72号
邮编:110016
电话:02483970070
个人主页: www.vittohanlab.com
实验室介绍: www.vittohanlab.com
 
个人简历 Personal resume
韩拯  
研究员  博导   中国科学院金属研究所  (2015-09 至今)
微纳米电子学,博士学位@ Néel 研究所, 法国中央研究院
个人主页: www.vittohanlab.com

1985年12月生,博士,研究员, 博士生导师。2007年7月毕业于吉林大学物理学院核物理专业,获理学学士学位。2010年7月毕业于中国科学院金属研究所,获材料学专业工学硕士学位。2010年10月至2013年在法国国家科学中心CNRS,格勒诺布尔NEEL研究所获得纳米电子学与纳米科技博士学位。随后作为博士后在美国哥伦比亚大学物理系从事范德华人工异质结构的维纳器件量子霍尔效应和电子光学等物理性能研究。2015年9月至今,在中国科学学院金属研究所开展新型人工纳米器件的量子输运调控研究工作。

研究领域和兴趣:
采用微纳加工和人工堆垛的纳米复合手段,针对基于零维金属纳米颗粒、二维材料与超导点阵、绝缘层状材料氮化硼等界面耦合开展研究工作。尝试实现新型二维纳米复合体系(nano hybrids)的材料可控生长、原子层厚度人工堆垛、与功能材料的人工纳米复合,以及低温强磁场下的性能测试。并尝试揭示相关体系经过人工纳米复合之后的新奇物理特性,研究门电压可控的二维超导量子相变、弹道输运下的可控电子光学等性能。
 
研究方向 Research direction
1、介观量子器件
 
招生信息 Enrollment information
优先招收物理背景的学生
 
论文专著 The monograph
1) Gate-controlled reversible rectifying behaviour in tunnel contacted atomically-thin MoS2 transistor - Nature Communications - 2017 - 8, 970
2) Electron optics with ballistic graphene junctions - Science - 2016 - 353, 1522
3) Collapse of superconductivity in tin-graphene proximity array - Nature Physics - 2014 - 10-380
 
报考意向 Ambition
 
 
 

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