专家介绍

王德亮，1967年生，教授, 博士生导师；1989年毕业于北京科技大学物理系；1992获中国科学院固体物理研究所硕士学位；1997年获德国Goettingen 大学自然哲学博士学位。王德亮先后在德国Goettingen University, 日本原子技术联合研究中心, 美国和香港科技大学等学习和研究工作10年，一直在国际上的一流研究机构从事研究工作。回国后，建立了国内先进的半导体薄膜和器件制备实验室。目前，实验室的主要研究方向是半导体薄膜和太阳能电池制备。实验室具有多种薄膜制备设备和表征手段。我们的目标是制备世界最高转换效率的太阳能电池，因此研究生可以学到货真价实的知识及研究经验。毕业的研究生，在社会上的就业竞争力很强。王德亮自1993年以来，在SCI收录的较高影响因子刊物上共发表60余篇学术论文,论文被广泛引用，被引用近700次。发表的刊物包括：Applied Physics Letters, Journal of Applied Physics, IEEE Electronic Device Letter等。多次被邀请在大型国际会议作口头报告。目前我们制备的CdTe太阳能电池转化效率达到15.2%，处于国际领先水平。我们实验室坚信的理念是, 让研究生在国内一流的研发机构，得到高水平的研究指导和研究经历，学到真本事，而不是单单为了读学位。我们研究组的研究，具有很强的挑战性和应用前景，因为我们的最终研究的成果是实物器件，而不仅仅是发表文章。

具有扎实的物理、数学基础硕士研究生考试科目: 请参照中国科技大学的硕士生招生简章. 博士研究生考试科目: 固体物理，半导体物理与器件. 实验室具备国内一流的设备和科研条件, 研究生将会受到国内一流的科学研究指导和实践; 学生的助学金待遇是国内高校最好的. 导师联系方式: eedewang@ustc.edu.cn, Tel: 0551-3600450

1) Dye-sensitized solar cells with modified TiO2 surface chemical states: the role of Ti3+ - Appl. Phys. Lett. - 2011 - 99, 192104 (2011).
2) Thin film CdTe solar cells with an absorber layer thickness in micro- and sub-micrometer scale - Appl. Phys. Lett. - 2011 - 99, 143502 (2011).
3) Study of interdiffusion reaction at the CdS/CdTe interface - J. Materials Research - 2011 - 26, 697 (2011).
4) Effect of CdCl2 annealing treatment on thin CdS films prepared by chemical bath deposition - Thin Solid Films - 2010 - 518, 6858 (2010).
5) in-situ observation of phase formation in a Cu-In-2Se precursor layer using micro-Raman scattering spectroscopy - J. Materials Research - 2009 - 24, 2373 (2009).
6) P-type CuInSe2 thin films prepared by selenization of one-step electrodeposited precursors - J. Materials Research - 2009 - 24, 2293 (2009).
7) Lattice vibration fundamentals in nanocrystalline anatase investigated with Raman scattering - J. Phys.: Condens. Matter - 2008 - 20, 085212 (2008).
8) Lattice vibration fundamentals of nanocrystalline anantase: temperature-dependent study using micro-Raman scattering spectroscopy - J Appl Phys. - 2007 - 101, 113501 (2007).
9) Lattice Vibration Fundamentals of Anatase Nanocrystalline TiO2 Thin Films Detected Using Unpolarized Infrared Spectroscopy - Chemistry Letters - 2006 - 35, 884 (2006).
10) Mechanical characterization of suspended GaN microstructures fabricated by GaN-on-patterned-silicon technique - Applied Physics Letters - 2006 - 88, 041913 (2006).
11) Micro-Raman scattering study of stress distribution in GaN films grown on patterned Si(111)by metalorganic chemical vapor deposition - Journal of Applied.Physics - 2005 - 97(2005)
12) Characterization of GaN grown on patterned Si(111) substrate - Journal of Crystal Growth - 2004 - 272
13) Si-doped cubic GaN grown on Si(001)substrate coated with a thin flat SiC buffer layer - Applied Physics Letters - 2002 - 80
14) Initial growth of hexagonal GaN grown on a Si(111)substrate coated with an ultra-thin SiC buffer layer - Journal of Crystal Growth - 2002 - 236
15) Dislocation core structures in GaN grown on Si(111)subtrate - Philosophy Magazine Letters - 2002 - 82
16) Growth of Hexagonal GaN on si(111) Coated with a Thin Flat SiC Buffer Layer - Applied Physics Letters - 2000 - 77
17) Heteroepitaxial Growth of Cubic GaN on Si(001)Coated with Thin Flat SiC by Plasma-Assisted Molecular Beam Epitaxy - Applied Physics Letters - 2000 - 76