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何力新
单位:光学与光学工程系
地址:中国科技大学中科院量子信息重点实验室
邮编:230026
电话:+86-551-63601061
个人主页: http://lqcc.ustc.edu.cn/helx/
实验室介绍:
 
个人简历 Personal resume
1990.9 – 1994.7 中国科技大学物理系,物理学专业学士
1994.9 – 1997.7 中国科技大学基础物理中心,理学硕士
1998.9 – 2003.8 Department of Physics and Astronomy,  
                 Rutgers University, Ph. D
2003.9 – 2006.1 National Renewable Energy Laboratory,
(USA) 博士后
2006.1-         中国科技大学量子信息重点实验室
 
研究方向 Research direction
1、量子调控
2、计算凝聚态物理
 
招生信息 Enrollment information
11
 
论文专著 The monograph
1) Electronic phase diagrams of carriers in self-assembled InAs/GaAs quantum dots: violation of Hund's rule and the Aufbau principle for holes - Phys. Rev. Lett. 95, 246804 - 2005 -
2) Prediction of an excitonic ground state in InAs/InSb quantum dots - Phys. Rev. Lett. 94, 016801 - 2005 -
3) Exponential decay properties of Wannier functions and related quantities - Phys. Rev. Lett. 86, 5341 - 2001 -
4) Electronic structures of (In,Ga)As/GaAs quantum dot molecules made of dots with dissimilar sizes - Phys. Rev. B 75, 075330 - 2007 -
5) Multiple charging of InAs/GaAs quantum dots by electrons or holes: addition energies and ground-state configurations - Phys. Rev. B 73, 115324 - 2006 -
6) Singlet-triplet splitting, correlation and entanglement of two electrons in self-assembled InAs/GaAs quantum dot molecules - Phys. Rev. B.72, 195307 - 2005 -
7) Asymmetry in self-assembled quantum dot-molecules made of identical InAs/GaAs quantum dot - Phys. Rev. B, 72, 081311(R) - 2005 -
8) Strain induced interfacial hole localization and light/heavy hole reversal in self-assembled quantum dots: compressive InAs/GaAs vs. tensile InAs/InSb - Phys. Rev. B 70, 235316 - 2004 -
9) Strain induced interfacial hole localization and light/heavy hole reversal in self-assembled quantum dots: compressive InAs/GaAs vs. tensile InAs/InSb - Phys. Rev. B 70, 235316 - 2003 -
10) First-principles study of the structure and lattice dielectric response of CaCu3Ti4O12 - Phys. Rev. B 65, 214112 - 2002 -
 
报考意向 Ambition
 
 
 

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